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J-GLOBAL ID：200903080449380672

半導体装置

Inventor： 福井 孝道
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 宮越 典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991306970
Publication number (International publication number)：1993121665
Application date： Oct. 26, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 積層配線構造の上層部を一部除去することにより高抵抗領域を形成し、抵抗体とする半導体装置を提供すること。【構成】 積層配線上層部1、積層配線下層部2、下地絶縁膜3から構成されており、積層配線上層部1の1部を除去することにより高抵抗領域を形成した半導体装置。【効果】 このように積層配線上層部1の一部を除去し、その領域の配線抵抗を上げて高抵抗領域を形成し、高抵抗体とすることにより、抵抗体の形成に必要な面積を縮少することができるので、高集積化が可能となり、また、制御性が容易である効果が生ずる。

Claim (excerpt)：

積層配線構造の上層部を一部除去し、これにより高抵抗領域を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-120550
  
• 特開昭56-045165