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J-GLOBAL ID：200903080454161067

半導体基板上に形成された誘電体層を研磨する装置

Inventor： ジヨセフ・アール・ブレイヴオーゲル ,  セイイチ・モリモト ,  マシユウ・ジエイ・プリンス
Applicant, Patent owner： インテル・コーポレーシヨン
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992129416
Publication number (International publication number)：1993146969
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板上に形成されている誘電体層をより早く研磨する装置を得ることである。【構成】 パッドの上面にはほぼ円周方向の溝が複数本形成される。それらの溝は、パッドの面積を増大し、単位面積当りより多くの研磨スラリを基板へ付着させる点接触を生じさせることにより、研磨作業を容易にするような寸法にされる。

Claim (excerpt)：

パッドで覆われた回転台と、前記パッドの表面を研磨スラリで被覆する手段と、半導体基板を前記スラリとともに回転するパッド表面に誘電体層を平らにするために前記基板を前記表面へ押しつける手段とを有し、前記パッドの表面には、パッド/基板の境界面に点接触を生じさせることにより前記研磨作業を容易にする複数の溝が形成されていることを特徴とする半導体基板上に形成された誘電体層を研磨する装置。

IPC (4)：

B24B 37/04 ,  B24B 7/22 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-132029
  
• 特開昭61-079575