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J-GLOBAL ID：200903080456198987

分子単電子トランジスタ及び集積回路

Inventor： 和田 恭雄 ,  北沢 宏一
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998066499
Publication number (International publication number)：1999266007
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来のシリコン半導体を用いたトランジスタよりも1000倍以上高性能な情報処理を可能にする超高性能単電子トランジスタの製作。【解決手段】 フラーレン、高次フラーレンを量子ドットとする分子単電子トランジスタにより、量子ドット寸法が1nm以下の極微小トランジスタが実現可能になり、従来のシリコン半導体を用いたトランジスタよりも1000倍以上高性能な情報処理を可能にする。

Claim (excerpt)：

フラーレンないし高次フラーレンおよびその誘導体の何れかを量子ドットとして具備したことを特徴とする分子単電子トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 301 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フラーレンを含む共重合体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-204744   Applicant：三菱マテリアル株式会社