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J-GLOBAL ID：200903080467291822

半導体素子収納用パッケージ

Inventor： 川畑 和弘
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998328589
Publication number (International publication number)：2000150698
Application date： Nov. 18, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体素子が作動時に発する熱を大気中に良好に放散させることができず、半導体素子が熱破壊を起こしたり、特性に熱劣化を招来する。【解決手段】半導体素子5が載置される放熱板2を厚み方向に配列した炭素繊維を炭素で結合した一方向性複合材料から成る芯体2bの上下両面にクロムー鉄合金層7a、銅層7b、鉄ーニッケル合金層もしくは鉄ーニッケルーコバルト合金層7cの3層構造を有する金属層7を拡散接合により被着させて形成するとともに、前記クロムー鉄合金層7a、銅層7b、鉄ーニッケル合金層もしくは鉄ーニッケルーコバルト合金層7cの各々の厚みを略同一厚とした。

Claim (excerpt)：

枠状の金属基体と、該金属基体の穴部に挿着され、上面に半導体素子が載置される載置部を有する放熱板と、前記金属基体上面に前記載置部を囲繞するようにして取着され、かつ一部に切欠部を有する金属製枠体と、該金属製枠体の切欠部に挿着されたセラミック端子体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記金属基体および金属製枠体は鉄ーニッケルーコバルト合金もしくは鉄ーニッケル合金から成り、かつ前記放熱板は厚み方向に配列した炭素繊維を炭素で結合した一方向性複合材料から成る芯体の上下両面にクロムー鉄合金層、銅層、鉄ーニッケル合金層もしくは鉄ーニッケルーコバルト合金層の3層構造を有する金属層が拡散接合により被着されて形成されており、前記クロムー鉄合金層、銅層、鉄ーニッケル合金層もしくは鉄ーニッケルーコバルト合金層の各々の厚みが略同一厚みであることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。