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J-GLOBAL ID：200903080483007891
弗素樹脂薄膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992229044
Publication number (International publication number)：1994077209
Application date： Aug. 28, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 多量の空隙を含む低誘電率のフィブリル構造弗素樹脂に関し,見掛けの誘電率が低い層間絶縁膜材料の提供を目的とする。【構成】 ランダムに交叉し空隙10aを含むフィブリル構造高分子化合物4薄膜を弗素化して弗素樹脂薄膜を製造するように構成し,及び,フィブリル構造高分子化合物4を,無極性の側鎖及び弗素と置換される極性基を有することある鎖状脂肪族炭化水素の重合物から構成し,及び,基板1上に塗布した重合触媒溶液10中でモノマーを重合させてフィブリル構造高分子化合物4を合成した後,重合触媒溶液10を除去して空隙10aを含むフィブリル構造高分子化合物4の薄膜を形成する工程と,フィブリル構造高分子化合物4を弗素化する工程とを有して構成し,及び,前記フィブリル構造高分子化合物4からなる薄膜を弗素又は弗素ラジカルに暴露して弗素化するように構成する。
Claim (excerpt)：
ランダムに交叉し,空隙(10a)を含むように形成された無配向のフィブリル構造高分子化合物(4)からなる薄膜を弗素化して製造することを特徴とする弗素樹脂薄膜の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/312
, H01B 3/00
, H01L 21/90
