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J-GLOBAL ID：200903080490404227

半導体レーザ

Inventor： 足立 秀人 ,  木戸口 勲 ,  萬濃 正也 ,  福久 敏哉 ,  高森 晃
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995280343
Publication number (International publication number)：1997129961
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101上に、活性層104と、活性層104を挟むn型クラッド層103、p型クラッド層105を備えた半導体レーザである。さらに、p型クラッド層105上には、可飽和吸収層106を備えている。さらぶ可飽和吸収層の上には、エッチングストッパ層100が形成されている。これにより、ストライプの形成時の可飽和吸収層のウエハ面内でのばらつきを抑制することができる。よって、安定した自励発振特性が得られ、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも量子井戸層を有する活性層と、可飽和吸収層とを備え、前記可飽和吸収層の基底準位間のエネルギ-ギャップが、前記量子井戸層の基底準位間のエネルギ-ギャップよりも、30〜200meV小さく、前記可飽和吸収層上に、エッチングストッパ層を備えたことを特徴とする半導体レーザ。