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J-GLOBAL ID：200903080501940339

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる真空処理装置

Inventor： 深田 昌生
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994130739
Publication number (International publication number)：1995335652
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 信頼度の高い配線膜を備えている半導体集積回路装置と、それを容易に得ることができる製造技術を提供する。【構成】 複数の半導体素子が設けられている基体1の上の窒化チタン膜12、アルミニウム膜13と、その側壁に設けられている側壁保護膜19と、窒化チタン膜12、アルミニウム膜13を被覆するように設けられている層間絶縁膜20とを有するものとし、その製造工程には、エッチング用マスクとなるフォトレジスト膜を酸素ガス、四フッ化炭素ガスおよび窒素ガスからなる反応ガスを用いてプラズマアッシングして取り除く工程を有するものとする。これにより、そのプラズマアッシングの際に、配線膜の側壁にエッチングされない側壁保護膜19が形成されるために、配線膜のエッチングを防止した状態で完全にフォトレジスト膜を取り除くことができる。

Claim (excerpt)：

複数の半導体素子が設けられている基体上の配線膜と、前記配線膜の側壁に設けられている側壁保護膜と、前記配線膜を被覆するように設けられている層間絶縁膜とからなることを特徴とする半導体集積回路装置。