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J-GLOBAL ID：200903080505158899

レジストパターンの形成方法

Inventor： 村田 昇
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993351921
Publication number (International publication number)：1995199483
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 化学増幅型ポジレジストの表面難溶化層が残らないレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】 現像前にレジスト表面の難溶化層を除去することにより、信頼性の高いレジストパターンを形成することができ、後の成膜工程に影響を及ぼすことがなく、ウエハの加工精度が向上し、微細化が可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ上に、少なくともベース樹脂と光酸発生剤とを有する化学増幅型ポジレジストを塗布する過程と、前記化学増幅型ポジレジストに所望のマスクパターンを投影露光する過程と、前記化学増幅型ポジレジストをその表面から所定の厚さまで除去する過程と、前記化学増幅型ポジレジストを現像する過程とを有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027