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J-GLOBAL ID：200903080515421180

半田バンプ形成方法

Inventor： 原田 茂樹 ,  浜野 寿夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992241071
Publication number (International publication number)：1994097174
Application date： Sep. 10, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップに半田バンプを形成する方法に関し、融点が特に高い半田を使用する場合のウェットバック時におけるフラックスの焼きつき防止を目的とする。【構成】 ウェーハ1表面に設けたバンプパッド2上にメッキ法により半田層3を形成し、この上にフラックス膜4を被着する。次にこれらをこの半田の融点より低温で加熱して半田層3の酸化膜を除去した後、フラックス膜4を洗浄により除去する。その後直ちに水素還元雰囲気炉中でこの半田の融点より高温に加熱する。半田膜3はウェットバックされて半球状の半田バンプ3Aとなる。

Claim (excerpt)：

ウェーハ表面に設けたバンプパッド上に半田を被着して半田層を形成する工程と、該半田層上にフラックスを塗布する工程と、該半田層を該半田の融点より低温で加熱する工程と、該フラックスを洗浄により除去する工程と、該半田層を非酸化性雰囲気もしくは真空中で該半田の融点より高温に加熱して半球状化する工程とをこの順に含むことを特徴とする半田バンプ形成方法。