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J-GLOBAL ID：200903080529011082

半導体装置

Inventor： 横山 孝司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000151737
Publication number (International publication number)：2001332618
Application date： May. 23, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 SiONなどのストッパー膜を使用しない構造であって、しかも、例えば、下層の比誘電率の高い絶縁膜から20nm以上、離れた部分に配線層を構成することにより、配線間容量低減を有効に達成できる半導体装置を提供する。【解決手段】 Cuを主な材料とする、多層の溝配線構造を有する半導体装置において、比誘電率の低い絶縁膜を、Cu配線部分の層間膜として、また、比誘電率の高い絶縁膜を、配線間を接合するプラグなどの金属柱が存在する部分の層間膜として、それぞれ、構成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

Cuを主な材料とする、多層の溝配線構造を有する半導体装置において、比誘電率の低い絶縁膜を、Cu配線部分の層間膜として、また、比誘電率の高い絶縁膜を、配線間を接合するプラグなどの金属柱が存在する部分の層間膜として、それぞれ、構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (5)：

H01L 21/312 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 S

F-Term (38)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX17 ,  5F033XX25 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD15 ,  5F058BJ02