GaN系半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松下亮
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007076008
Publication number (International publication number)：2008235740
Application date： Mar. 23, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】シリコン基板などの導電性基板を使って大素子を形成する場合でも、基板に流れるリーク電流を低減でき、大電流でかつ高耐圧の大素子を実現可能にしたGaN系半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】GaN系半導体デバイス20は、シリコン(111)基板1上に、複数のGaN系HFET10を形成し、各GaN系HFET10の電極同士を多層配線で連結して作製された大素子である。シリコン基板1上の半導体動作層(チャネル層3と電子供給層4)を複数の半導体動作層領域に電気的に絶縁分離するイオン注入領域9が形成されている。絶縁分離された各半導体動作層領域と電極5〜7により、複数のGaN系HFET(ユニット素子)10がそれぞれ形成される。各GaN系HFET10の電極同士を電気的に接続して、複数のGaN系HFETが1素子として機能する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくともバッファ層と半導体動作層とを有するGaN系半導体デバイスにおいて、少なくとも前記半導体動作層を電気的に絶縁する絶縁領域が形成されていることを特徴とするGaN系半導体デバイス。

IPC (8)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 27/095

FI (7)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301R , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/48 F , H01L29/80 E , H01L29/78 621

F-Term (73)：

4M104AA04 , 4M104AA09 , 4M104EE01 , 4M104FF31 , 4M104FF40 , 4M104GG02 , 4M104GG09 , 5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102FA09 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC05 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GS09 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV01 , 5F102GV03 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC15 , 5F110AA06 , 5F110BB12 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110GG04 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK22 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN65 , 5F140AA24 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA17 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG27 , 5F140BJ07 , 5F140BJ13 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK29 , 5F140CA02 , 5F140CB02 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-329267 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248735 Applicant：サンケン電気株式会社

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-316247 Applicant：松下電器産業株式会社
窒素化合物含有半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-177151 Applicant：株式会社東芝
特開平2-049465

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