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J-GLOBAL ID：200903080530880671

表面処理方法

Inventor： 西野 弘剛 ,  早坂 伸夫 ,  岡野 晴雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991157058
Publication number (International publication number)：1993006880
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体や金属表面に残留したハロゲンを簡易に除去することのできる表面処理方法を提供すること。【構成】 被処理基体の表面の自然酸化膜及びハロゲン汚染物層を除去するための表面処理方法において、Si基板20上に熱酸化膜21を介してAl合金薄膜22を形成し、その上に一部開口を有するCVD酸化膜23を形成した被処理基体に対し、Al合金薄膜22の表面に形成された自然酸化膜25をBCl3ガスを用いて除去したのち、被処理基体を大気に晒すことなく、基体表面にB2 H6ガスを接触させてBやClを含むハロゲン化物層26を除去し、次いで被処理基体を大気に晒すことなく、Al合金薄膜22上にW薄膜27を選択的に形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくともハロゲン元素を含むガスを用いた処理工程を経た被処理基体の表面に、COガス,NOガス,及び分子内に水素元素,CO,NOの少なくとも一つを含む化合物ガスの少なくとも一つを含むガスを接触させることを特徴とする表面処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-137625
  
• 特開平2-185030
  
• 特開昭50-100979
  
• 特開昭58-003231