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J-GLOBAL ID：200903080536275494

炭化ケイ素単結晶の育成方法

Inventor： 谷野 吉弥
Applicant, Patent owner： 谷野 吉弥
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997369737
Publication number (International publication number)：1999171697
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】[課題]炭化ケイ素単結晶は高温半導体及びパワーデバイス基板として、無欠陥、高純度の高品質大型単結晶の実現が望まれている。[解決手段]従来のアチソン法、昇華法などの高温気相成長による不純物の混入や欠陥の発生を解決すべく単結晶育成を固相成長により行うものでsic単結晶基板とCVD-sic多結晶との界面にホウ素またはアルミニウム含有層を設け、β→αへの相転位と単結晶の成長を促進し基板結晶の不純物、欠陥及び界面層のホウ素等育成単結晶に取り込むことなく高品質大型単結晶を得る。

Claim (excerpt)：

アチソン法または、昇華法等により製作された単結晶の基板の表面にホウ素、アルミニウムまたはそれを含む化合物を少なくとも一種類以上を均一に分散固着させた後、熱CVD法等によりβ-sicを成膜するこれを不活性雰囲気中2100°C〜2300°C、1時間〜20時間熱処理を行うことによって相転位を促し基板炭化ケイ素の結晶方位に倣ったα-sic単結晶を得る。ホウ素等を炭化ケイ素単結晶基板の表面に固着させる方法としては?@元素、または化合物の粉末を樹脂、澱粉等の接着剤中に分散し塗布する?A元素、または化合物を炭化ケイ素表面に細い凹凸を作りすり込む?B元素または化合物を真空蒸着、CVD、イオンプレーティング、によってコーティングする等、いずれの方法でも良く、またホウ素等を炭化ケイ素と混合し固着させても良い。