Pat
J-GLOBAL ID：200903080544850139
光デバイス
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997323538
Publication number (International publication number)：1998229247
Application date： Nov. 25, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体レーザ10の低反射率(LR)被覆12において、被覆の厚さ変動に対する反射率の感度を低くする。【解決手段】 LR被覆14は、イットリウムおよびアルミニウムの酸化物(YAO)からなる単一層である。この被覆は、イットリウムアルミニウムガーネットからなる原材料から電子ビーム蒸着により、レーザ10の活性領域20を構成する複数のInP層およびInGaAsP層(有効屈折率は約3.2)の端面によって形成される出力ファセット18上に形成される。被覆の屈折率をnc、レーザの動作波長をλとして、被覆の厚さはほぼtqw=mλ/4nc(mは奇整数)に等しい。これにより、被覆の実際の厚さがtqwから多少ずれても、被覆の反射率は従来の被覆に比べて緩やかにしか変化しないため、製造歩留まりが向上する。
Claim (excerpt)：
半導体材料の領域(20,22,24)と、前記領域上に形成され光が伝播する被覆(14)とからなる密封パッケージされた能動光デバイス(10)において、前記被覆はイットリウムおよびアルミニウムの酸化物からなることを特徴とする光デバイス。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
