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J-GLOBAL ID:200903080550049995

プラズマCVD装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 坂間 暁 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995225089
Publication number (International publication number):1997071867
Application date: Sep. 01, 1995
Publication date: Mar. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 反応容器(1)内で放電用電極(10)と対向して基板(9)を配置し、放電用電極(10)からグロー放電プラズマを発生させて基板(9)上に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、放電用電極(10)に実質的に供給される高周波電力を増加させ、成膜速度を高めること。【解決手段】 放電用電極(10)を構成する線材を、細線を束ねて形成させたり、横断面形状を放射状の星形としたりして、断面積を増すことなく表面積を増大させる。これにより高周波電流の表皮効果による抵抗増加が抑制され、高周波電力が実質的に増加する。
Claim (excerpt):
反応容器と、この反応容器内に反応ガスを導入し排出する手段と、上記反応容器内に収容された複数本の線材からなる梯子状平面型の放電用ラダーインダクタンス電極と、この放電用ラダーインダクタンス電極にグロー放電用電力を供給する電源とを有し、上記反応容器内で上記放電用ラダーインダクタンス電極に対向して設置された基板の表面に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、上記放電用ラダーインダクタンス電極を構成する複数本の線材が細線を束ねて形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (5):
C23C 16/50 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/04
FI (5):
C23C 16/50 ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 31/04 V
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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