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J-GLOBAL ID：200903080550432535
不揮発性半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992051373
Publication number (International publication number)：1993258581
Application date： Mar. 10, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は不揮発性半導体記憶装置に関し、少ない書き込み/消去回数で、適切な書き込み/消去を行う不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。【構成】 所定のデータを記憶保持する複数のセルトランジスタと、該複数のセルトランジスタ中の任意のセルトランジスタに対して所定の書込電圧(消去電圧)で書き込み(消去)を行う書込手段(消去手段)と、該書込手段(消去手段)によって対象となる所定のセルトランジスタの閾値電圧を測定する閾値電圧測定手段と、該閾値電圧測定手段によって測定された閾値電圧値と、予め設定された書き込みに必要な適正電圧値との差分電圧値を演算する差分電圧演算手段とを備え、前記書込手段(消去手段)は、前記差分電圧演算手段によって演算された電圧値を書込電圧(消去電圧)とするように構成する。
Claim (excerpt)：
所定のデータを記憶保持する複数のセルトランジスタと、該複数のセルトランジスタ中の任意のセルトランジスタに対して所定の書込電圧で書き込みを行う書込手段と、該書込手段によって書込対象となる所定のセルトランジスタの閾値電圧を測定する閾値電圧測定手段と、該閾値電圧測定手段によって測定された閾値電圧値と、予め設定された書き込みに必要な適正電圧値との差分電圧値を演算する差分電圧演算手段と、を備え、前記書込手段は、前記差分電圧演算手段によって演算された電圧値を書込電圧とすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2)：
FI (3)：
G11C 17/00 309 A
, G11C 17/00 309 C
, H01L 27/10 434
