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J-GLOBAL ID：200903080550689382

半導体レーザ装置

Inventor： 岡井 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995016586
Publication number (International publication number)：1996213692
Application date： Feb. 03, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】六方晶の結晶系を有する半導体を用いた半導体レーザ装置を提供すること。【構成】六方晶の結晶系を有するAl2O3基板1の(10-10)面上に、n型GaNバッファ層2、n型AlGaNガイド層3、InGaN活性層4、 p型AlGaNガイド層5、p型GaNクラッド層6等のエピタキシャル成長層の多層構造を配置し、半導体基板のc軸に垂直な劈開面により共振器を構成した半導体レーザ装置。(10-10)面に代えて、(01-10)面、(-1100)面又はそれらのいずれかに平行な結晶面であってもよい。

Claim (excerpt)：

六方晶の結晶系を有する半導体基板と、該半導体基板のc軸に平行な面の上に配置されたエピタキシャル成長層の多層構造とからなることを特徴とする半導体レーザ装置。