Pat

J-GLOBAL ID：200903080555984331

両親媒性ポリシラン誘導体

Inventor： 村木 広次 ,  伊藤 利昭 ,  平松 光夫
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992097981
Publication number (International publication number)：1993295118
Application date： Apr. 17, 1992
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 一般式1(R1とR2は1価の炭化水素基、R3は2価の炭化水素基、Xは無機又有機陰イオンを表す。Xは1価又は2,3...n価でもよい。そのときのピリジニウム基とXとのモル比は、n:1になる。Xは1種類のイオンである必要はなくX,Y,Z...等の多種のイオンを混合したものでもよい。)の繰返し単位を含み、ラングミュアブロジェット法により水面上に単分子膜を形成することができる両親媒性ポリシラン誘導体。【効果】 本ポリシラン誘導体は導電性ポリシランの側鎖にピリジニウム塩が投入され、耐薬品性、耐熱性が向上し、また単分子膜に加工され得るので電子材料として新たな用途がみこまれる。

Claim (excerpt)：

式【化1】(式中R1 及びR2 は1価の炭化水素基、R3 は2価の炭化水素基、Xは無機又有機陰イオンを表す。またXは1価である必要はなく2、3、...n価でもよい。そのときのピリジニウム基とXとのモル比は、n:1になる。又、Xは1種類のイオンのみである必要はなくX,Y,Z...等の多種のイオンを混合したものでもよい。)にて表わされる繰返し単位を含み、ラングミュアブロジェット法により水面上に単分子膜を形成することができる両親媒性ポリシラン誘導体。

IPC (2)：

C08G 77/60 ,  C07F 7/10