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J-GLOBAL ID：200903080559971234

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 鈴木 信明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996350709
Publication number (International publication number)：1998189992
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】ボトムゲート型多結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT)のゲート電極表面に陽極酸化膜を形成するための構成を簡略化する。【解決手段】ガラス基板1上の全面にITOからなる透明導電膜2を形成し、その上に、Ta又はMo-Taからなる金属膜3をTFTのゲート電極パターンに形成する。透明導電膜2を通じて金属膜3に電圧を印加し、金属膜3表面にTaOx からなる陽極酸化膜5を形成する。陽極酸化後、陽極酸化膜5をエッチングマスクとして用いて、透明導電膜2をパターニングする。【効果】金属膜3のパターンに、陽極酸化用の引き出し電極となる部分を設ける必要が無くなる。

Claim (excerpt)：

絶縁層の上の全面に導電膜を形成する工程と、前記導電膜の上に所定パターンの金属膜を形成する工程と、前記導電膜を通じて前記金属膜に所定の電圧を印加することにより、電解液中において前記金属膜を陽極とした陽極酸化を行い、前記金属膜の表面に陽極酸化膜を形成する工程と、前記金属膜及びその表面に形成された前記陽極酸化膜をマスクにして、前記導電膜をパターニングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301

FI (7)：

H01L 29/78 617 W ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 627 G