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J-GLOBAL ID：200903080560080190

半導体装置

Inventor： 酒井 勲美
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992150206
Publication number (International publication number)：1993343540
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】多層配線を有する半導体装置において層間絶縁膜の平坦性を向上させ、多層配線の断線等の発生を防止する。【構成】多層配線の信号配線の存在しない領域に第1層のダミー配線101を偶数格子に配置し、第3層のダミー配線102を奇数格子に配置することにより層間絶縁膜113,114,115の平坦性を改善する。このダミー配線による寄生容量の増加はダミー配線を全格子に配置した場合より低減でき、多層配線の微細化及びより一層の多層化が可能になる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設定した配線格子上に配線を配置して設けた多層配線を有する半導体装置において、前記多層配線の最上配線層以外の少くとも1層の配線層の偶数格子上又は奇数格子上に配置して設けたダミー配線を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/31