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J-GLOBAL ID：200903080574303167
半導体基板の分割方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993292713
Publication number (International publication number)：1994204336
Application date： Oct. 28, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板を分割する時、分割に必要な幅をスクライブ痕幅程度に出来るようにし、それにより分割方向を半導体基板の結晶方位に依存せず、分割面にチッピングやクラックの発生の少ない且つ分割面近傍に加工歪の少ない半導体基板の分割方法を提供する。【構成】 半導体素子4を、複数個形成した表面を有する半導体基板1において、前記半導体素子4と隣接する半導体素子4との間の表面に対応する裏面に、連続するハ-フダイス溝2を、この半導体基板1の一端から他端まで付け、前記半導体素子4と隣接する半導体素子4との間の表面に、連続するスクライブ痕3を、この半導体基板1の一端から他端まで付け、この半導体基板1に垂直な力をこのハ-フダイス溝2の全長または一部に加えた。
Claim (excerpt)：
半導体素子を複数個形成した表面を有する半導体基板において、この半導体素子とこの半導体素子に隣接する分割されるべき半導体素子との間にあり、この半導体基板の表面上の領域を二分する、この半導体基板の表面に垂直な平面を、溝内に含み、この半導体基板の所定の厚さに応じた所定の深さを持つ連続するハ-フダイス溝を、この半導体基板の一端より他端まで、この半導体基板の裏面に付け、前記半導体素子とこの半導体素子に隣接する分割されるべき半導体素子との間にあるこの半導体基板の表面上の領域を二分する、所定の幅を持つ直線状の連続するスクライブ痕を、この半導体基板の一端から他端まで、この半導体基板の表面に付け、この半導体基板に垂直な力をこのハ-フダイス溝の全長または一部に加えることを特徴とする半導体基板の分割方法。
IPC (3)：
H01L 21/78
, H01L 31/10
, H01L 33/00
Cited by examiner (5)
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