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J-GLOBAL ID：200903080575033139

レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  河合 義夫
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002167293
Publication number (International publication number)：2004012886
Application date： Jun. 07, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と、式(2)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物とを添加してなるレジスト材料。 (R1、R2はH又は酸不安定基、0<k<1、0<m<1、R3、R4、R5はH、F又はトリフルオロメチル基、R6は酸不安定基、0≦a≦4、0≦b≦4、1≦c≦3、1≦a+b≦4、0≦d≦4、0≦e≦4、1≦f≦3、1≦d+e≦4の範囲、0<p<1、0<q<1である。)【効果】本発明のレジスト材料は、レジストの透明性とアルカリ溶解コントラストが向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と、一般式(2)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物とを添加してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (3)：

G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

FI (3)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R

F-Term (18)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17