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J-GLOBAL ID：200903080576726189

半導体装置とその製造方法

Inventor： スコット アール.サマーフェルト
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993138871
Publication number (International publication number)：1994084736
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高誘電率の酸化膜を有する半導体装置の新規な構造とその製造方法とを提供する。【構成】 半導体装置は、半導体基板20と、その上にゲルマニウム層28と、その上に高誘電率の酸化膜32から成る構造を有する。好ましくはゲルマニウム層は単結晶である。この半導体装置の製造方法は、半導体基板20の上に直接または間接にゲルマニウム層28を形成することと、ゲルマニウム層の上に高誘電率の酸化膜32をデポジットすることとを含む。好ましくはゲルマニウム層は半導体基板上にエピタキシャル成長させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に直接または間接に形成されたゲルマニウム層と、該ゲルマニウム層の上に形成された高誘電率の酸化膜と、を含むことを特徴とする、半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20