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J-GLOBAL ID:200903080593357880

金属パターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999109882
Publication number (International publication number):2000265087
Application date: Mar. 11, 1999
Publication date: Sep. 26, 2000
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、基体上に高解像性の金属メッキパターンを安価に生産性良く作製することを目的とする。【構成】 本発明の目的は、実質的に透明な基体上に、導電性インクを用いて、パターンを形成させた後、該透明基体上に、ネガタイプのフォトレジスト層を該パターンの膜厚より大なる状態で設け、その後、該層が設けられた透明基体の裏側から該導電性インクよりなるパターンをマスクにして全面露光し、該導電性インクよりなるパターン部上のフォトレジストのみを現像して除去する。その後、電解メッキ法により、該導電性インクよりなるパターン上のみに金属パターンを形成させる金属パターン形成方法により達成される。特に、電子材料分野や建材分野等における光透過型の電磁波シールド部材の作製に有効である。
Claim (excerpt):
実質的に透明な基体上に、膜厚15μmで1.0×103Ω/□以下の表面抵抗を有する導電性インクを用いて、パターンを形成させた後、該透明基体上に、ネガタイプのフォトレジスト層を該パターンの膜厚より大なる状態で設け、その後、該層が設けられた透明基体の裏側から該導電性インクよりなるパターンをマスクにして全面露光し、該導電性インクよりなるパターンが設けられていないフォトレジスト部を硬化させた後、該導電性インクよりなるパターン部上のフォトレジストのみを現像して除去する。その後、電解メッキ法により、該硬化レジストを耐メッキレジストとして使用し、該導電性インクよりなるパターン上のみに金属パターンを形成させる金属パターン形成方法。
IPC (7):
C09D 5/24 ,  C25D 7/00 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/30 ,  H01J 9/20 ,  H01J 11/02 ,  H05K 9/00
FI (7):
C09D 5/24 ,  C25D 7/00 G ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/30 ,  H01J 9/20 A ,  H01J 11/02 Z ,  H05K 9/00 V
F-Term (48):
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025DA18 ,  2H025EA04 ,  2H025EA08 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA43 ,  2H096AA00 ,  2H096AA27 ,  2H096BA05 ,  2H096CA12 ,  2H096CA16 ,  2H096EA02 ,  2H096EA16 ,  2H096GA08 ,  2H096HA27 ,  2H096JA04 ,  4J038NA19 ,  4J038NA20 ,  4J038PB05 ,  4J038PB09 ,  4K024AA09 ,  4K024AB08 ,  4K024BA12 ,  4K024BB09 ,  4K024DA10 ,  4K024FA05 ,  5C028AA01 ,  5C028AA10 ,  5C040FA01 ,  5C040FA02 ,  5C040GA02 ,  5C040GH10 ,  5C040JA08 ,  5C040MA08 ,  5C040MA22 ,  5C040MA26 ,  5E321AA04 ,  5E321BB23 ,  5E321BB41 ,  5E321GG05 ,  5E321GH01

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