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J-GLOBAL ID：200903080595687631

半導体素子

Inventor： 波多野 吾紅 ,  泉谷 敏英 ,  大場 康夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179198
Publication number (International publication number)：1993029653
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は低欠陥で伝導型の制御が可能なGaN、GaxAl1-x-yInyNを成長することにより、高輝度短波長発光素子を得ることを目的とする。【構成】 格子整合させるために、格子型が等しいことを要せず、格子間距離が必要であるとする。これにより格子不整合により発生する転位や歪が飛躍的に減少し、低欠陥の結晶の成長を可能にする。

Claim (excerpt)：

III族元素以外の立方晶系の基板と、前記基板上に形成され結晶の格子間距離のみ前記基板と略相等ならしめて整合されたIII-V族化合物半導体層を具備した半導体素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-229475
  
• 特開昭64-017484
  
• 特開平4-209577