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J-GLOBAL ID:200903080598392896

プラズマトーチとプラズマジェットの発生方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992028801
Publication number (International publication number):1993226096
Application date: Feb. 17, 1992
Publication date: Sep. 03, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 プラズマトーチに関し、電極の消耗が少なく、高純度のプラズマを発生させる。【構成】 棒状のカソード1を中心とし、外側に微小な間隙を隔てゝ配置されたノズル状アノード2の間に作動ガス5を噴射しながら直流電源9より電圧を印加し、両極間にアーク放電10を行なってプラズマジェット11を発生させる非移行式のプラズマトーチにおいて、カソード1の外側に沿ってシールドガス16を供給するカソードノズル13を、また、アノード2の内側および外側に沿ってシールドガス16を供給するアノード内ノズル14とアノード外ノズル15を設ける。
Claim (excerpt):
冷媒により冷却されており、微小間隙を隔て対向しているカソードチップ(20)とアノードチップ(21)との間に作動カス(5) を噴出させながら、直流電源(9) より電圧を印加して放電せしめ、プラズマジェット(11)を発生させる非移行式のプラズマトーチにおいて、前記カソードチップ(20)およびアノードチップ(21)がそれぞれ表面に金属層を有する多結晶ダイヤモンドより構成されていることを特徴とするプラズマトーチ。
IPC (2):
H05H 1/34 ,  B23K 10/00 504

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