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J-GLOBAL ID：200903080627164156
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993019861
Publication number (International publication number)：1994232128
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体装置に関し、低抵抗でかつ高信頼性の電極配線を提供する。【構成】銅配線表面上に、耐酸化性あるいは耐食性に優れた銅の化合物と銅との組成傾斜層を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体チップ内の回路配線および/または電極の材料が、銅または銅合金である半導体装置において、銅よりも高い耐食性の元素または化合物がその表面に被設され、銅とその元素または化合物との組成比が配線および/または電極の内部に向かって連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
