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J-GLOBAL ID：200903080656828543

半導体レーザの製造方法

Inventor： 冨永 浩司 ,  土屋 博
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 丸山 敏之 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992127305
Publication number (International publication number)：1993327112
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 MOCVD法を用いて、活性層の膜厚が共振器長方向に変化する高出力構造の半導体レーザを製造する。【構成】 InP基板1上に、MOCVD法によって、光導波路となるリッジ状の多層結晶膜を形成する際、InP基板1上には、前記多層結晶膜が形成されるべき領域を挟んで両側に、選択成長のための一対のマスク2、2を形成する。該マスク2の幅は共振器長方向に変化し、共振器端面の近傍部には細幅部22、共振器中央部には太幅部21を具えている。これによって、前記細幅部22上は薄く、太幅部21上は厚い活性層が成長する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、有機金属気相成長法によって、光導波路となるリッジ状の多層結晶膜を形成する半導体レーザの製造方法において、有機金属気相成長法による結晶成長に際して、半導体基板上には、前記多層結晶膜が形成されるべき領域を挟んで両側に、選択成長のための一対のマスク(2)(2)を設け、各マスク(2)の幅は、共振器長方向に変化して、共振器端面の近傍部では細幅に、共振器中央部では太幅に形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 光機能素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-253108   Applicant：工業技術院長
• 特開昭60-257583
  
• 特開平2-156586
  
• 特開平4-105383
  
• 特開平1-321677