Pat
J-GLOBAL ID：200903080663611649
薄膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993021642
Publication number (International publication number)：1994216109
Application date： Jan. 18, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高精密な異方性エッチングによる薄膜形成方法を提供することにある。【構成】 半導体基板をアルカリ性エッチング液でエッチング除去し、薄膜を形成する方法において、前記半導体基板は樹脂製のシート2で覆われており、かつこのシートは樹脂製の治具3,5によって押圧されていることを特徴とする薄膜形成方法である。
Claim (excerpt)：
半導体基板をアルカリ性エッチング液でエッチング除去し、薄膜を形成する方法において、前記半導体基板は樹脂製のシートで覆われており、かつこのシートは樹脂製の治具によって押圧されていることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/306
, C23F 1/08 102
