Pat

J-GLOBAL ID：200903080665820601

オーバーコート材料

Inventor： 田中 啓順 ,  中村 二朗 ,  河合 義夫 ,  石原 俊信
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  信越化学工業株式会社
Agent (1)： 中本 宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993177575
Publication number (International publication number)：1995140668
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 表面難溶化層及びタイムディレーの問題を解決する、従来技術を上回るオーバーコート材料を提供する。【構成】 化学増幅型レジスト材料に適用されるオーバーコート材料において、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、あるいはそれらの共重合体をベース樹脂(A)とし、ラジカル捕捉剤(B)、及び式(化1):(R)n AM〔式中Rは同一又は異なり(置換)芳香族基、Aはスルホニウム又はヨードニウム、Mはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネート、nは2又は3〕で表されるオニウム塩(C)、あるいは(C)の代りに有機酸(D)の3成分を含むオーバーコート材料。更に界面活性剤(E)及び/又はポリビニルアルコール若しくはエチレングリコール(F)を含んでもよい。【効果】 特に電子線、X線や遠紫外線による微細加工に有用である。

Claim (excerpt)：

化学増幅型レジスト材料に適用されるオーバーコート材料において、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、あるいはそれらの共重合体をベース樹脂(A)とし、ラジカル捕捉剤(B)、及び下記一般式(化1):【化1】(R)n AM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩(C)の3成分を含むことを特徴とするオーバーコート材料。

IPC (5)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-049532   Applicant：株式会社東芝
• レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-258247   Applicant：富士通株式会社