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J-GLOBAL ID：200903080680680468

半導体センサおよびその製造方法

Inventor： 鈴木 孝直
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995274552
Publication number (International publication number)：1997116173
Application date： Oct. 23, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ワイヤーボンディングに伴う問題点を解決し得る半導体センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイアフラム部3と、フレーム部4と、ピエゾ抵抗ゲージ5を有する半導体圧力センサにおいて、基板2の表面がシリコン酸化膜16、シリコン窒化膜17で覆われ、基板2の裏面側からシリコン酸化膜16に達する凹部6が形成され、凹部6の内面がシリコン酸化膜18、裏面金属膜8で順次覆われ、シリコン酸化膜16、シリコン窒化膜17を貫通するコンタクトホール7が形成され、基板表面側の配線金属膜9によりピエゾ抵抗ゲージ5とコンタクトホール7内の裏面金属膜8が電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一部にその厚さが他の領域より薄いダイアフラム部と、その他の領域であるフレーム部が設けられ、前記半導体基板の表面にピエゾ抵抗ゲージが設けられた半導体センサにおいて、前記半導体基板の表面が第1の絶縁性保護膜で覆われ、前記フレーム部に、前記半導体基板の裏面側から前記第1の絶縁性保護膜に達する凹部が形成され、この凹部の側面が第2の絶縁性保護膜、内面が金属膜で順次覆われ、前記凹部に対応する位置で前記第1の絶縁性保護膜を貫通するコンタクトホールが形成され、前記半導体基板の表面側に形成された配線金属膜により前記ピエゾ抵抗ゲージと前記コンタクトホール内の金属膜が電気的に接続されていることを特徴とする半導体センサ。

IPC (4)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321

FI (4)：

H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 321 E