Pat

J-GLOBAL ID：200903080680857279

発光素子及びその製造方法

Inventor： 倉田 一宏 ,  富塚 雄二
Applicant, Patent owner： 日新製鋼株式会社
Agent (1)： 小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993219652
Publication number (International publication number)：1995074393
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 発光をGaAs基板を透過させて取り出すことにより、発光効率の高い発光素子を得る。【構成】 GaAs基板11上にn型Ga1-x Inx As層12,p型Ga1-xInx As層13及びp型Ga1-x Inx As層14とを重ねて成長させ、n型Ga1-x Inx As層12に達する深さをもつ溝16でn型Ga1-x Inx As層13,14を複数のアイランドに分割する。隣接するアイランドの一方の下部にあったp-n接合15の整流性を無くし、伝導路を形成する。各アイランドの表面に設けた電極18a,18bに電流を供給し、他方のアイランドにあるp-n接合15に順方向電流を流す。p-n接合15近傍で発生した赤外光は、GaAs結晶基板11を透過して外部に取り出される。

Claim (excerpt)：

混晶比xが0以上のn型Ga1-x Inx As層と混晶比xが0.2より小さいp型Ga1-x Inx As層とをGaAs単結晶基板上に重ねて成長させたエピタキシャルウエハと、少なくとも前記n型Ga1-x Inx As層に達する深さをもつ溝で前記p型Ga1-x Inx As層を分割した複数のアイランドと、隣接するアイランドの一方の下部にあったp-n接合の整流性を無くした電流通路と、各アイランドの表面に設けた電極とを備え、該電極を介して他方のアイランドにあるp-n接合に順方向電流を供給し、該p-n接合近傍の発光を前記GaAs単結晶基板を透過させて取り出す発光素子。