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J-GLOBAL ID：200903080701495704

Mg-Si系熱電材料及びその製造方法

Inventor： 梅本 実 ,  清水 孝純 ,  森井 浩一
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 上野 登
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001091091
Publication number (International publication number)：2002285274
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Oct. 03, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高い熱電特性を有すると共に、低温度で合成することが可能なMg-Si系熱電材料及びその製造方法を安価に提供すること。【解決手段】 MgとSiの原子比が2:1となるMg粉末及びSi粉末と前記ドーパント元素粉末とを混合する混合工程と、該混合工程で得られた混合粉末をMgの融点Tm(Mg)以上1073K以下の温度範囲内で所定時間加熱保持して溶融MgとSi粒子との反応によりMg2Siを形成させると共に、前記ドーパント元素を溶融Mg中に溶解させ前記Mg2Si結晶構造中のMg若しくはSiの一部と置換・固溶させることよりMg2Si基化合物を生成させる加熱保持工程と、該加熱保持工程を前記所定時間後に未反応のSi粒子が残存する程度で停止させる冷却工程とにより作製される。

Claim (excerpt)：

化学組成式がMg<SB>66.667-x</SB>Si<SB>33.333-y</SB>A<SB></SB><SB>x+y</SB>(Aはドーパント元素であり、Al、P、Ga、As、In、Sb、Ag、Cu、Au、Ni、Fe、Mn、Co、Zn、Pbのいずれかの元素、0.017≦x≦0.192及びy=0、若しくはx=0及び0.017≦y≦0.192)で表されるMg<SB>2</SB>Si基化合物であって、前記ドーパント元素がMg<SB>2</SB>Si結晶構造中のMg若しくはSiの一部と置換・固溶されると共に、前記化合物中には平均粒径Gが0.1μm<G<10μmの範囲内にあるSi粒子が非凝固状態で分散して存在していることを特徴とするMg-Si系熱電材料。

IPC (6)：

C22C 23/00 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/00 ,  B22F 3/10 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

FI (6)：

C22C 23/00 ,  B22F 1/00 R ,  B22F 3/00 A ,  B22F 3/10 G ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

F-Term (9)：

4K018AA13 ,  4K018AB10 ,  4K018AC01 ,  4K018AD11 ,  4K018BA20 ,  4K018BC12 ,  4K018DA18 ,  4K018DA31 ,  4K018KA32