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J-GLOBAL ID:200903080702438437

光ファイバーモジュールのLD駆動回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大島 一公
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993295274
Publication number (International publication number):1995147446
Application date: Nov. 25, 1993
Publication date: Jun. 06, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 光出力のレベルを一定に保持するために、バイアス電流とパルス電流をコントロールし、かつ、バイアス電流とパルス電流の調整をする必要のない光ファイバーモジュールのLD駆動回路を提供する。【構成】 半導体レーザ素子1Aの光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導体レーザ素子1Aの光出力を検出する受光素子1Bと、半導体レーザ素子1Aにパルス電流Ipを供給するパルス電流変調回路9と、パルス電流変調回路のパルス電流値をコントロールするパルス電流制御回路10と、受光素子1Bの検出出力を検出するパワーモニター回路4と、半導体レーザ素子1Aを発光するバイアス電流Ibをコントロールするバイアス電流制御回路7を有して、半導体レーザ素子1Aのバイアス電流値Ibを2点以上変化させる。
Claim (excerpt):
半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、半導体レーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段と、前記受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、前記半導体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイアス電流制御手段を有して、前記半導体レーザ素子のバイアス電流値を2点以上変化させて、前記半導体レーザ素子の発光パワーを前記受光パワー検出手段によって検出し、前記半導体レーザ素子の閾値電流値を検出することで、前記半導体レーザ素子の直流バイアス電流を前記バイアス電流制御手段に設定することを特徴とする光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
IPC (2):
H01S 3/133 ,  H01S 3/096
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
  • 特開昭57-164589
  • 特開昭57-164589
  • 特開昭62-237786
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