カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及び表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004254284
Publication number (International publication number)：2005075725
Application date： Sep. 01, 2004
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及び表示装置を提供する。【解決手段】触媒物質層が形成された基板に1次カーボンナノチューブを成長させ、1次成長後にカーボンナノチューブの表面に存在する触媒物質を利用して1次カーボンナノチューブの表面に2次カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法である。このように、1次カーボンナノチューブの側面に成長した微細直径の2次カーボンナノチューブは、低い電圧下でも電子を放出する。また、微細直径の2次カーボンナノチューブ、すなわち電子放出源の増加によって高い電子放出電流が得られ、均一な分布で形成された1次カーボンナノチューブの直径を通じて均一な電界放出特性が得られる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板と、基板に成長した多数のカーボンナノチューブと、を備えるカーボンナノチューブ構造体において、前記カーボンナノチューブは、前記基板に対して垂直成長した多数の1次カーボンナノチューブと、前記1次カーボンナノチューブの側面に多数成長する2次カーボンナノチューブと、を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ構造体。

IPC (5)：

C01B31/02 , H01J1/304 , H01J9/02 , H01J29/04 , H01J31/12

FI (5)：

C01B31/02 101F , H01J9/02 B , H01J29/04 , H01J31/12 C , H01J1/30 F

F-Term (43)：

4G146AA11 , 4G146AA16 , 4G146AB08 , 4G146AD14 , 4G146AD17 , 4G146AD29 , 4G146BA08 , 4G146BA12 , 4G146BB22 , 4G146BC07 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC27 , 4G146BC32B , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 4G146CB16 , 4G146CB22 , 4G146CB34 , 5C031DD17 , 5C031DD19 , 5C036EE01 , 5C036EE14 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EG12 , 5C036EH11 , 5C036EH26 , 5C127AA01 , 5C127BA09 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127DD08 , 5C127EE02 , 5C127EE06 , 5C135AA09 , 5C135AA15 , 5C135AB07 , 5C135HH02 , 5C135HH06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

集積回路装置及び集積回路装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-135322 Applicant：富士通株式会社
特許第6325909号
樹枝状鉄-アルミニウム-炭素系複合体、カーボンナノツリー及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-097582 Applicant：大阪瓦斯株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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