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J-GLOBAL ID：200903080719442667
非晶質カーボン膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996250204
Publication number (International publication number)：1998096075
Application date： Sep. 20, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、耐摩耗性に優れた非晶質カーボン膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の非晶質カーボン膜の形成方法は、真空チャンバ内に配置されたカーボン材ターゲットに対してスパッタガスイオンを衝突させてカーボン原子を叩き出し、該チャンバ内に配置された基板に非晶質カーボン膜を堆積させるスパッタリング方式の非晶質カーボン膜形成方法において、スパッタリング法として電子サイクロトロン共鳴プラズマ法を用い、スパッタガスにアルゴンまたはアルゴンと水素の混合ガスを用いてスパッタガス中の水素濃度を1%以下とすることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
真空チャンバ内に配置されたカーボン材ターゲットに対してスパッタガスイオンを衝突させてカーボン原子を叩き出し、該チャンバ内に配置された基板に非晶質カーボン膜を堆積させるスパッタリング方式の非晶質カーボン膜形成方法において、スパッタリング法として電子サイクロトロン共鳴プラズマ法を用い、スパッタガスにアルゴンまたはアルゴンと水素の混合ガスを用いてスパッタガス中の水素濃度を1%以下とすることを特徴とする非晶質カーボン膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/06 F
, H01L 21/203 S
