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J-GLOBAL ID：200903080724645770
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992246627
Publication number (International publication number)：1994103533
Application date： Sep. 16, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果層に電流を流す電極導体層の抵抗を小さくして発生する雑音を小さくし、また電極導体層の相互間の短絡を防止する。【構成】 電極導体層2を少なくとも3層以上の膜で構成し、第2層電極導体層22の比抵抗を5μΩ・cm以下とし、第1層電極導体層21を磁気抵抗効果層1との密着層とし、第3層電極導体層23をその上の膜との密着層とする。また電極導体層2を4層の膜で構成し、最上層の膜をホトレジストパターン等のマスク材をマスクにしてエッチングし、この膜をマスク材として下層の膜を順次エッチングして、電極導体層端部での再付着層の突起の発生を防止する。
Claim (excerpt)：
少なくとも磁気抵抗効果層と、これに電流を流すための電極導体層とを有する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、電極導体層が3層または4層で構成され、電極導体層の第1層が磁気抵抗効果層を構成する膜と電極導体層の第2層との密着層であり、電極導体層の第2層が比抵抗が5μΩ・cm以下の膜であり、電極導体層が3層で構成の場合には電極導体層の第3層が電極導体層の第2層と電極導体層上に形成される薄膜磁気ヘッドを構成する膜との密着層であり、また電極導体層が4層で構成の場合には電極導体層の第3層が電極導体層の第2層と電極導体層の第4層との密着層であり、電極導体層の第4層が電極導体層の第3層と電極導体層上に形成される薄膜磁気ヘッドを構成する膜との密着層であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Patent cited by the Patent：
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