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J-GLOBAL ID：200903080733888031
薄膜集積回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995305349
Publication number (International publication number)：1996242002
Application date： Feb. 25, 1993
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：
【要約】【課題】 薄膜集積回路を構成するp-ch.TFTとn-ch.TFTとの性能を独立して制御する。【解決手段】 p-ch.TFTのチャネル半導体薄膜と、n-ch.TFTチャネル半導体薄膜との結晶粒径、非結晶性成分量を独立して制御する。
Claim (excerpt)：
ガラス基板上にnチャネル型薄膜トランジスタとpチャネル型薄膜トランジスタとを有する薄膜集積回路において、前記ガラス基板上に堆積された半導体薄膜のうち前記nチャネル型薄膜トランジスタのチャネルとなる第1の半導体薄膜と前記pチャネル型薄膜トランジスタのチャネルとなる第2の半導体薄膜とは共に非単結晶薄膜であり、かつ第1及び第2のそれぞれの半導体薄膜を構成する結晶粒の平均径、及び非結晶成分量がたがいに異なることを特徴とする薄膜集積回路。
IPC (2)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 627 G
