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J-GLOBAL ID:200903080734159190
圧電体-半導体複合基板の製造方法とそれを用いた圧電デバイス
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993316353
Publication number (International publication number):1995169924
Application date: Dec. 16, 1993
Publication date: Jul. 04, 1995
Summary:
【要約】【目的】 圧電体基板と半導体基板を接着剤を用いずに一体化する複合基板の製造方法及びそれを用いた信頼性の高い圧電デバイスを提供する。【構成】 圧電体基板の一方の面にガラス基板を直接接合し、前記ガラス基板のいずれかの面の前記圧電体基板の接合されていない部分に半導体基板が陽極接合された構成となっている。
Claim (excerpt):
それぞれ鏡面に研磨された圧電体基板とガラス基板の接合面に親水化処理を施し、接触させて接着し、熱処理を加えることで強固に直接接合し、前記ガラス基板上の前記圧電体基板の接合されていない部分に半導体基板を接触させ、両基板を加温しながら、両基板間に電圧を加えて陽極接合することを特徴とする圧電体-半導体複合基板の製造方法。
IPC (6):
H01L 27/12
, C04B 37/00
, H01L 21/02
, H01L 41/08
, H03H 3/02
, H03H 9/02
Patent cited by the Patent:
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