Pat
J-GLOBAL ID:200903080751812875

磁気センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 辻 実
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998228451
Publication number (International publication number):2000055996
Application date: Aug. 12, 1998
Publication date: Feb. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】小型で低コスト、かつ、検出磁界に対する出力の直線性、温度特性に優れた高感度磁気センサ、および、その駆動回路を提供すること。【解決手段】磁気センサは、薄膜磁気インピーダンス素子22の磁気コアの両端に高周波の正弦波電流を印加する発振回路21と、該発振回路21と薄膜磁気インピーダンス素子22の磁気コアとの間に設けられ、発振回路21の出力インピーダンスと薄膜磁気インピーダンス素子22の入力インピーダンスのミスマッチを調整するバッファ回路23と、該磁気インピーダンス素子22に印加された外部磁界に応じて変化する高周波電流の変化量から外部磁界の磁気変化量を検出する検波回路29と、を具備する。
Claim (excerpt):
非磁性体からなる基板上に形成された磁気コアの周囲に絶縁体を介したバイアスコイルおよび負帰還コイルを巻回した薄膜磁気インピーダンス素子を用いた磁気センサにおいて、該磁気コアの両端に高周波の正弦波電流を印加する発振回路と、該発振回路と該薄膜磁気インピーダンス素子の磁気コアとの間に設けられ、発振回路の出力インピーダンスと薄膜磁気インピーダンス素子の入力インピーダンスのミスマッチを調整するバッファ回路と、該磁気インピーダンス素子に印加された外部磁界に応じて変化する高周波電流の変化量から外部磁界の磁気変化量を直流検出する検波回路と、を具備することを特徴とする磁気センサ。
IPC (2):
G01R 33/02 ,  G11B 5/33
FI (2):
G01R 33/02 D ,  G11B 5/33
F-Term (12):
2G017AA01 ,  2G017AB05 ,  2G017AC04 ,  2G017AC09 ,  2G017AD42 ,  2G017AD53 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017AD69 ,  2G017BA09 ,  2G017BA13

Return to Previous Page