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J-GLOBAL ID：200903080776259445
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276675
Publication number (International publication number)：1994104213
Application date： Sep. 21, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 放電プラズマガスによるドライエッチングで絶縁膜に開口を設ける時に生じるシリコン半導体基板の表面の汚染領域を除去する。【構成】 シリコン半導体基板1上のシリコン酸化膜2及びPGS膜3を炭素を含むガスの放電プラズマによって選択的ににエッチングして開口を形成する。この開口に露出した半導体基板の表面をSF6 を含むガスの放電プラズマによってドライエッチングして汚染領域を除去する。
Claim (excerpt)：
シリコン又はシリコンを主成分とする半導体基板の表面に対して弗素は含むが炭素は含まない化合物のガスの放電プラズマによるドライエッチングを施すことにより、前記半導体基板の表面の汚染領域を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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