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J-GLOBAL ID：200903080778711663
半導体紫外線センサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993309363
Publication number (International publication number)：1995162024
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 熱拡散やイオン注入といった通常の方法を用いて簡易に形成することができ、UV光だけに感度を持つ半導体UVセンサを実現する。【構成】 絶縁基板11上に非常に薄くN型の半導体層12が形成されている。このN型半導体層12の厚みはUV光の吸収は起こるが青や緑の光に関しては透過してしまう厚みに形成されている。また、N型半導体層12の内側にP型の不純物が例えばイオン注入されることにより、P+ 型拡散層13が形成されている。このイオン注入はP型不純物が絶縁基板11の表面に達する深さまで行われ、P+ 型拡散層13が絶縁基板11に接して形成されている。また、N型半導体層12にはN+ 型拡散層14が形成されており、この上にはアルミ金属配線15aが、また、P+ 型拡散層13上にはアルミ金属配線15bが形成されている。
Claim (excerpt)：
絶縁層上に形成された第1導電領域およびこの第1導電領域に並ぶ前記絶縁層上の所定領域に形成された第2導電領域からなる半導体層と、前記第1導電領域および前記第2導電領域にそれぞれ接した第1の電極および第2の電極とを備えて形成された半導体紫外線センサ。
IPC (3)：
H01L 31/10
, H01L 27/12
, H01L 31/09
H01L 31/10 A
, H01L 31/00 A
Cited by examiner (5)
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