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J-GLOBAL ID：200903080781561460

半導体装置

Inventor： 宝泉 徹
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221917
Publication number (International publication number)：1993063139
Application date： Sep. 03, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】同じ基板上にパワーチップ,およびその制御回路部品を実装してなるパワーデバイスを対象に、ノイズ耐量の高い半導体装置を提供する。【構成】金属絶縁基板1を回路基板として、パワーチップ2, およびその制御回路を構成する電子部品3を基板上に振り分け実装してなる半導体装置に対し、金属絶縁基板における制御回路部品実装領域での基板絶縁層1bの厚さDをパワーチップ実装領域の絶縁層厚さdよりも厚く構成し、基板の絶縁層を誘電体とする金属ベース1aと導体パターン1cとの間のキャパシタンスについて、制御回路部品の実装領域のキャパシタンスをパワーチップの実装領域のキャパシタンスよりも小さくする。これにより、外来ノイズに起因して制御回路に流れるパルス電流が低減されてノイズ耐量が向上する。

Claim (excerpt)：

金属絶縁基板を回路基板として、パワーチップ, およびその制御回路を構成する電子部品を基板上に振り分け実装してなる半導体装置において、基板の絶縁層を誘電体とする金属ベースと導体パターンとの間のキャパシタンスについて、制御回路部品の実装領域のキャパシタンスがパワーチップの実装領域のキャパシタンスよりも小となるように回路基板を構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/14 ,  H02M 7/48 ,  H05K 1/18

FI (2)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/14 Z