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J-GLOBAL ID：200903080784284696

シリコン窒化膜形成方法

Inventor： 高浜 享 ,  後藤 令幸 ,  大西 寛 ,  草壁 嘉彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992107443
Publication number (International publication number)：1993304144
Application date： Apr. 27, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 発塵の原因となる副反応生成物NH4Clの形成を抑制して歩留り良く化学量論的に組成制御された品質の高いシリコン窒化膜を得る。【構成】 まずシリコン原子を含む原料ガス5を基板1上に導き入れこれを熱で分解してシリコン膜を得た後に、窒素原子を含む原料ガス7を加熱された上記基板上に流すことによって上記シリコン膜を窒化したり、塩素を含まずシリコン原子を含む原料ガスと塩素を含まず窒素原子を含む原料ガスを同時に基板上に導き入れてシリコン窒化膜を成膜した後に、窒素原子を含む原料ガスを流すことによって上記シリコン窒化膜をさらに十分窒化したりする。

Claim (excerpt)：

反応ガスとして少なくともシリコン原子を含む原料ガスと窒素原子を含む原料ガスとを使って、枚葉式減圧CVD法によりシリコン窒化膜を形成する方法において、まずシリコン原子を含む原料ガスを基板上に導き入れこれを熱で分解してシリコン膜を得た後に、窒素原子を含む原料ガスを加熱された上記基板上に流すことによって上記シリコン膜を窒化することを特徴とするシリコン窒化膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31