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J-GLOBAL ID:200903080786721597

表面電位計測センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小沢 信助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993326959
Publication number (International publication number):1995181212
Application date: Dec. 24, 1993
Publication date: Jul. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】 デバイスに印加されている電圧値が高感度で測定できる。【構成】 基板上に形成されたデバイスに電圧印加装置によって所定電圧を印加し、デバイス上に発生した電圧を光の強度に変換して測定する表面電位計測センサにおいて、デバイスと微小間隔をもって対向配置され、電圧印加装置によって印加された電圧に基づいて発生する電場によって屈折率が変化する電気光学素子と、この電気光学素子に臨界角の近傍で平行光を出射する光源と、電気光学素子によって反射された反射光を検出する検出器とを設けたことを特徴とした表面電位計測センサ。
Claim (excerpt):
基板上に形成されたデバイスに所定電圧を印加し、デバイス上に発生した電圧を光の強度に変換して測定する表面電位計測センサにおいて、前記デバイスと微小間隔をもって対向配置され、前記デバイスに印加された電圧に基づいて発生する電場によって屈折率が変化する電気光学素子と、この電気光学素子に臨界角の近傍で平行光を出射する光源と、前記電気光学素子によって反射された反射光を検出する検出器と、を設けたことを特徴とした表面電位計測センサ。
IPC (4):
G01R 29/12 ,  G01M 11/00 ,  G01R 19/00 ,  G01R 31/302
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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