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J-GLOBAL ID：200903080787311775
プラズマ処理装置におけるプラズマ制御方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
金丸 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992012226
Publication number (International publication number)：1993206067
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 プラズマ処理装置において、低ガス圧力状態(高真空状態)においてもプラズマを消滅させることなく安定な状態に維持できるようにする。【構成】 高周波電極5aの電位波形の周波数分布をスペクトラムアナライザ装置21により測定する。高周波電源6の周波数よりも高い周波数においてピーク強度を持ちそのときの周波数値が不規則に変動する周波数成分を有する、高周波電極5aの電位波形が測定されたときに、処理ガス圧力、高周波電力などのプラズマ制御パラメータを制御する。例えば、真空容器1内の処理ガス圧力をわずかに高める。これにより、低ガス圧力状態においてもプラズマを消滅させることなく安定な状態に維持することができる。
Claim (excerpt)：
試料基板が載置されるとともに高周波電源から結合コンデンサを介して高周波電圧が印加される高周波電極が配された真空容器内に処理ガスを導入し、高周波放電により処理ガスをプラズマ化することにより、試料基板にエッチング、CVD、スパッタリングなどのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置におけるプラズマ制御方法において、高周波電極の電位波形の周波数分布を測定し、高周波電源の周波数よりも高い周波数においてピーク強度を持ちそのときの周波数値が不規則に変動する周波数成分を有する前記電位波形が測定されたときに、処理ガス圧力、高周波電力などのプラズマ制御パラメータを制御することにより、プラズマを安定化させるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置におけるプラズマ制御方法。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/203
