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J-GLOBAL ID：200903080795276725

分析方法および装置

Inventor： 平松 賢二 ,  溝上 員章 ,  小池 譲治 ,  田宮 洋一郎 ,  金井 昭司 ,  黒岩 慶造 ,  中野 和男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993105746
Publication number (International publication number)：1994318446
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 有りのままの状態の試料の任意の部位の分析を迅速・的確かつ高精度に遂行することができる分析技術を提供する。【構成】 ウエハ3を収容するベーク処理室1と、フォーカシングレンズ6,ビームエクスパンダ7,ビームスプリッタ13a,ビームスプリッタ13b,レーザ発振器10からなり、ウエハ3の目的部位にレーザ19を照射して加熱する光学系20と、光学系20をウエハ3に対し水平移動させてレーザ19の照射位置を制御する光学系XY駆動ユニット21と、ウエハ3の加熱部位から発生したガスgをキャリアガスとともにAPIMS5に送るためのキャリアガス供給部15aおよび発生ガス取り出し用配管16bと、主制御部11を中心とする各部分の制御系を備え、有りのままの状態のウエハ3の局所を高精度に選択的に加熱して分析部位のみでの局所的なガスgの発生を促し、高精度の分析を行う分析装置である。

Claim (excerpt)：

エネルギビームの照射によって試料の特定部位を選択的に励起し、前記特定部位から発生するガスを捕捉して分析することを特徴とする分析方法。

IPC (4)：

H01J 37/26 ,  G01N 27/62 ,  H01J 49/10 ,  H01L 21/66