ポジ型ホトレジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997171947
Publication number (International publication number)：1999015162
Application date： Jun. 27, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ArFエキシマレーザー光に対する透明性が高く、高感度で高解像度を有し、耐ドライエッチング性、密着性、パターン形状の良好なレジストパターンを与えるアルカリによるパドル現像可能なポジ型ホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)一般式【化1】(Rは水素原子又はメチル基、R2及びR3は低級アルキル基、R4はラクトン、ケトン又はエステル化合物の残基)で表わされる構成単位を含む(メタ)アクリル系重合体又は共重合体から成るアクリル系樹脂、及び(B)放射線照射により酸を発生する酸発生剤を含有させ、ポジ型ホトレジスト組成物とする。

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化するアクリル系樹脂及び(B)放射線照射により酸を発生する酸発生剤を含有するポジ型ホトレジスト組成物において、(A)成分が、一般式【化1】(式中のR1は水素原子又はメチル基、R2及びR3は、それぞれ低級アルキル基、R4はラクトン化合物、ケトン化合物及びエステル化合物の中から選ばれた化合物の炭素原子に結合した水素原子1個を除いて形成される残基である)で表わされる構成単位を含むアクリル若しくはメタクリル系重合体又は共重合体であることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/033 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-106214 Applicant：富士通株式会社
特開平3-241355
スクシンイミド誘導体、その製法及び用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280233 Applicant：住友化学工業株式会社

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