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J-GLOBAL ID：200903080807351604
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994010768
Publication number (International publication number)：1995221234
Application date： Feb. 02, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 薄膜に半導体素子を有する半導体装置の機械的強度並びに信頼性を高め、かつ高性能、安価な冷却を可能とする。【構成】 半導体基板11の少なくとも一部が薄膜化され、この薄膜12に半導体素子14を有する半導体装置において、前記半導体基板11と前記半導体基板に対向する基板15とにより出入口を2つ以上有する容器を形成し、該出入口の少なくとも一つより前記半導体素子14を冷却するための冷却液16を流入し、他の出入口の少なくとも一つより該冷却液16を流出せしめる。
Claim (excerpt)：
半導体基板の少なくとも一部が薄膜化され、この薄膜に半導体素子を有する半導体装置において、前記半導体基板と前記半導体基板に対向する基板とにより出入口を2つ以上有する容器を形成し、該出入口の少なくとも一つより前記半導体素子を冷却するための冷却液を流入し、他の出入口の少なくとも一つより該冷却液を流出せしめることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
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