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J-GLOBAL ID：200903080811583536

レーザダイオード

Inventor： 林 茂生 ,  大川 和宏 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993031695
Publication number (International publication number)：1994244499
Application date： Feb. 22, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 GaAs基板上に、光閉じ込め層として{(ZnS)<SB>n </SB>-(ZnSe)<SB>m </SB>}短周期超格子(n、m:自然数、n<5、0.1≦n/(n+m)≦0.3)と、光導波路層としてZnS<SB>X </SB>Se<SB>1ーX </SB>(X;0.06〜0.09)とを備えることにより、結晶性の劣化を抑えた高効率のレーザダイオードを提供する。【構成】 n型GaAs単結晶基板1上に、塩素添加n型(ZnS)<SB>2 </SB>(ZnSe)<SB>8 </SB>短周期超格子層2、塩素添加n型ZnS<SB>0.07</SB>Se<SB>0.93</SB>層3、Zn<SB>0.9 </SB>Cd<SB>0.1 </SB>Se層4、窒素添加p型ZnS<SB>0.07</SB>Se<SB>0.93</SB>層5、窒素添加p型(ZnS)<SB>2 </SB>(ZnSe)<SB>8 </SB>短周期超格子層6を有する。短周期超格子層6上にAu電極7を、GaAs単結晶基板1上にIn電極8を有し、へき開面ミラーによる光共振器を持つ。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、光閉じ込め層として{(ZnS)<SB>n </SB>-(ZnSe)<SB>m </SB>}短周期超格子(ただしnおよびmは自然数でかつn<5、0.1≦n/(n+m)≦0.3)と、光導波路層としてZnS<SB>X </SB>Se<SB>1ーX </SB>(ただしXは0.06以上0.09以下の範囲を示す)とを備えたレーザダイオード。